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IXFH 88N20Q IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
100
Fig. 7. Input Adm ittance
100
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
80
60
80
60
25oC
125oC
40
20
0
T J = -40oC
25oC
125oC
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
30
60
90
120
150
180
200
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 100V
160
120
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
I D = 44A
I G = 10mA
0.4
0.55
0.7
0.85
1
1.15
1.3
0
30
60
90
120
150
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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